Was sind die Schaltungen der Transistoren

Da der Bipolar-Transistor ist ein klassisches Drei-Punkt, gibt es drei Möglichkeiten, die Aufnahme in den elektronischen Schaltkreis mit einem gemeinsamen Ein- und Ausreisesausgang:

  • gemeinsamen Basis (OB) - Hochspannungsdurchgangskoeffizient;
  • gemeinsamen Emitter (TE) - das verstärkte Signal als ein Strom und Spannung;
  • gemeinsamen Kollektor (OC) - verstärkte Signalstrom.

In jeder der drei Arten von Leiterschalttransistor, unterschiedlich reagiert er auf ein Eingangssignal, da die statischen Eigenschaften der aktiven Elemente abhängig von den spezifisch Lösungen.

Schema mit einer gemeinsamen Basis ist eine von drei typischen Konfigurationen Einbeziehung bipolaren Transistoren.Normalerweise ist es als Strom- oder Spannungsverstärker Puffer verwendet wird.Solche Systeme ermöglichen Transistoren sind, daß der Emitter als Eingangsschaltung wirkende gekennzeichnet, daß ein Ausgangssignal von dem Kollektor und der Basis des "geerdet", die dem gemeinsamen Draht gemacht.Eine ähnliche Konfiguration sind Schaltkreise FET-Verstärker mit einer gemeinsamen Gate.

Tabelle 1.Die wichtigsten Parameter der Verstärkerstufe der Regelung auf.

Parameter

Ausdruck

Koeff.usileniya aktuellen

Ik / Iin = Ik / Ie = α [α & lt; 1]

Bx.Widerstands

Rin = Uin / Iin = Ube / Ie

Schaltungen der Transistoren auf unterschiedliche stabile Temperatur- und Frequenzeigenschaften, die eine geringe Abhängigkeit ihrer Parameter (Gewinn von Spannung, Strom, Eingangsimpedanz) der Temperatur bietetBedingungen der Arbeitsumgebung.Die Nachteile des Systems sind kleine Rin und keine Stromverstärkung.

Kreis mit gemeinsamen Emitter bietet eine sehr hohe Verstärkung und bietet ein umgekehrtes Signal am Ausgang, die eine ziemlich große Verbreitung haben kann.Der Übertragungskoeffizient in diesem System hängt weitgehend von der Temperatur des Verschiebungsstroms, wobei die tatsächliche Verstärkung ist etwas unvorhersehbar.Diese Systeme ermöglichen die Transistoren eine hohe Rin, die Stromverstärkung und Spannungs invertierenden Eingang, einfache Schalt.Die Nachteile sind die Probleme, mit Overdrive zugeordnet - aufgrund der niedrigen Eingangsdynamikbereich Möglichkeit des spontanen positives Feedback Verzerrung tritt für kleine Signale.

Tabelle 2.Die wichtigsten Parameter der Verstärkerstufe Schema OE

Parameter

Ausdruck

Quoten.Stromverstärkung

Iout / Iin = Ik / Ib = Ik / (Ie-Ik) = α / (1-α) = β [β & gt; & gt; 1]

Bx.Widerstands

Rin = Uin / Iin = Ube / Ib

Schema mit einem gemeinsamen Kollektor (in der Elektronik, auch als Emitterfolger bekannt) ist eine von drei Arten von Leiterschalttransistoren.Es ist an der Eingangsbasisschaltung zugeführt, und der Ausgang wird von dem Widerstand in der Emitterschaltung des Transistors abgenommen.Eine solche Konfiguration der Verstärkerstufe ist in der Regel als ein Spannungspuffer verwendet.Es dient als Basis des Transistors Eingangsschaltung ist der Emitter-Ausgang und einen geerdeten Kollektor dient als ein allgemeiner Punkt, daher der Name des Systems.Die Analoga können als der Feldeffekttransistoren Verbindungstyp mit einer gemeinsamen Drain dienen.Der Vorteil dieser Methode ist relativ hoher Eingangsimpedanz der Verstärkerstufe und eine relativ niedrige Ausgangs.

Tabelle 3.Die wichtigsten Parameter der Verstärkerstufe Schema OK.

Parameter

Ausdruck

Quoten.Stromverstärkungs

Iout / Iin = Ie / Ib = Ie / (Ie-Ik) = 1 / (1-α) = β [β & gt; & gt; 1]

Koff.Spannungsverstärkung

Uout / Uin = URe / (Ube + ur) & lt;1

Bx.Widerstands

Rin = Uin / Iin = Ube / Ie

Alle drei Standardschaltungen der Transistoren sind in Schaltungsentwurf verwendet wird, abhängig von dem Zweck der elektronischen Vorrichtung und den Bedingungen seiner Anwendung.